any changing of specification will not be informed individual bcp1 94 npn silicon planar medium power transistor rohs compliant product h t t p : / / w w w . s e c o s g m b h . c o m e l e k t r o n i s c h e b a u e l e m e n t e sot-89 a b s o l u t e m a x i m u m r a t i n g s a t t a = 2 5 c o s y m b o l p a r a m e t e r v a l u e c o l l e c t o r c u r r e n t ( d c ) 5 1 2 0 0 5 5 ~ + 1 5 0 6 0 8 0 1 2 i c t s t g t j , j u n c t i o n a n d t o t a l p o w e r d i s s i p a t i o n v e b o p d e m i t t e r - b a s e v o l t a g e v a w s t o r a g e t e m p e r a t u r e - c o v c e o c o l l e c t o r - e m i t t e r v o l t a g e v v c b o c o l l e c t o r - b a s e v o l t a g e v u n i t s c o l l e c t o r c u r r e n t ( p u l s e ) e l e c t r i c a l c h a r a c t e r i s t i c s t a m b = 2 5 u n l e s s o t h e r w i s e s p e c i f i e d c * p u l s e w i d t h 3 0 0 s , d u t y c y c l e 2 % ?? ?? m p a r a m e t e r s y m b o l m i n t y p . m a x u n i t e s t c o n d i t i o n s c o l l e c t o r - b a s e b r e a k d o w n v o l t a g e b v c b o - - v i c = 1 0 0 v c e s = 6 0 v m a , i e = 0 i c = 1 0 m a , i b = 0 i e = 1 0 0 m a , i c = 0 v c b = 6 0 v , i e = 0 i c = v c e = v , i c = v c e = v , i c = 5 0 m a , f = 1 0 0 m h z v c b = 1 0 , f = 1 m h z , i e = 0 * b v c e o 6 0 - - v b v e b o - - v i c b o - - 1 0 0 n a - * v c e ( s a t ) 1 - * h f e 1 f t - m h c o b - p f z c o l l e c t o r - e m i t t e r b r e a k d o w n v o l t a g e e m i t t e r - b a s e b r e a k d o w n v o l t a g e c o l l e c t o r - b a s e c u t o f f c u r r e n t c o l l e c t o r s a t u r a t i o n v o l t a g e d c c u r r e n t g a i n g a i n - b a n d w i d t h p r o d u c t o u t p u t c a p a c i t a n c e t 8 0 5 0 . 2 5 1 0 0 v 5 0 0 m a , i b = 5 0 m a 5 5 0 0 m a 1 0 v 1 0 0 3 0 0 - 1 5 0 1 0 i c e s e m i t t e r - b a s e c u t o f f c u r r e n t - n a i c = * v b e ( s a t ) - b a s e - e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e 1 0 0 1 . 1 v 1 a , i b = 1 0 0 m a * h f e 2 - v c e = v , i c = 5 1 m a i c = * v c e ( s a t ) 2 - 0 . 5 v 1 a , i b = 1 0 0 m a i c = * v b e ( o n ) - 1 v 1 a , v c e = 5 v v c e = v , i c = * h f e 3 5 2 a 3 0 - 8 0 * h f e 4 - v c e = v , i c = 5 1 a m e a s u r e d u n d e r p u l s e c o n d i t i o n . - - - - - - - - - v e b = 4 v , i c = 0 - 1 0 0 i e b o e m i t t e r - b a s e c u t o f f c u r r e n t - n a o i b b a s e c u r r e n t m a 0 1 - j u n - 2 0 0 2 r e v . a p a g e 1 o f 2 millimeter millimeter ref. min. max. ref. min. max. a 4.4 4.6 g 3.00 ref. b 4.05 4.25 h 1.50 ref. c 1.50 1.70 i 0.40 0.52 d 1.30 1.50 j 1.40 1.60 e 2.40 2.60 k 0.35 0.41 f 0.89 1.20 l 5 q typ. m 0.70 ref. d e s c r i p t i o n t h e b c p 1 9 4 i s d e s i g n e d f o r m e d i u m p o w e r a m p l i f i e r a p p l i c a t i o n s . f e a t u r e s * 1 a m p c o n t i n u o u s c u r r e n t * 6 0 v o l t v c e o * c o m p l e m e n t a r y t o b c p 1 9 5
e l e k t r o n i s c h e b a u e l e m e n t e a n y c h a n g i n g o f s p e c i f i c a t i o n w i l l n o t b e i n f o r m e d i n d i v i d u a l h t t p : / / w w w . s e c o s g m b h . c o m 0 1 - j u n - 2 0 0 2 r e v . a p a g e 2 o f 2 c h a r a c t e r i s t i c s c u r v e bcp 1 94 npn silicon planar medium power transistor
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