technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igb t diode module with chopper-igbt dd b6u 84 n 12...16 rr elektrische eigenschaften / electrical properties vorl?ufige daten preliminary data h?chstzul?ssige werte / maximum rated values netz-diode / rectifier diode periodische spitzensperrspannung t v j = - 40c...t v j ma x v rrm 1200, 1400 v repetitive peak reverse voltage 1600 durchla?strom-grenzeffektivwert (pro element) i frmsm 60 a rms forward current (per chip) ausgangsstrom t c = 100c i d 85 a output current t c = 84c 104 a sto?strom-grenzwert t v j = 25c, t s = 10ms i fsm 650 a surge forward current t v j = t v j ma x , t p = 10ms 550 a grenzlastintegral t v j = 25c, t s = 10ms i2t 2100 a2s i2t-value t v j = t v j ma x , t p = 10ms 1500 a2s igbt kollektor-emitter-sperrspannung v ces 1200 v collector-emitter voltage kollektor-dauergleichstrom i c 50 a dc-collector current periodischer kollektor-spitzenstrom t p = 1ms i crm 100 a repetitive peak collektor current gesamt-verlustleistung t c = 25c p tot 350 w total power dissipation gate-emitter spitzenspannung v ge 20 v gate-emitter peak voltage schnelle diode / fast diode dauergleichstrom i f 25 a dc forward current periodischer spitzenstrom t p = 1ms i frm 50 a repetitive peak forward current modul isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 2,5 kv insulation test voltage charakteristische werte / characteristic values netz-diode / rectifier diode min. typ. max. durchla?spannung t v j = t v j ma x , i f = 100a v f 1,55 v forward voltage schleusenspannung t v j = t v j ma x v ( to ) 0,75 v threshold voltage ersatzwiderstand t v j = t v j ma x r t 5,5 m w forward slope resistance sperrstrom t v j = t v j max, v r = v rr m i r 5ma reverse current igbt kollektor-emitter s?ttigungsspannung t v j = 25c, i c = 50a, v g e = 20v v ce sat 2,5 3,2 v collector-emitter saturation voltage t v j = 125c, i c = 50a, v g e = 20v 3,1 gate-emitter-schwellspannung t v j = 25c, i c = 2ma, v g e = v ce v ge ( to ) 4,5 5,5 6,5 v gate-emitter threshold voltage sdb-ma2; r. j?rke 22. jan 99 a 104/97 seite/page 1(3) www.datasheet www.datasheet www.datasheet www.datasheet 4u 4u4u 4u .com .com .com .com
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igb t diode module with chopper-igbt dd b6u 84 n 12...16 rr vorl?ufige daten preliminary data igbt min. typ. max. eingangskapazit?t t v j = 25c, f 0 = 1mhz, c ies 3,3 nf input capacitance v ce = 25v, v g e = 0v kollektor-emitter reststrom t v j = 25c, v ce = 1200v, v g e = 0v i ces 0,8 1 ma collector-emitter cut-off current t v j = 125c, v ce = 1200v, v g e = 0v 4,0 gate-emitter reststrom t v j = 25c, v ce = 0v, v g e = 20v i ges 500 na gate leakage current emitter-gate reststrom t v j = 25c, v ce = 0v, v eg = 20v i egs 500 na gate-leakage current schnelle diode / fast diode durchla?spannung t v j = 25c, i f = 25a v f 2,3 2,9 v forward voltage t v j = 125c, i f = 25a 1,8 sperrverz?gerungsladung i fm = 25a, -di/dt = 800a/s, v r = 600v q r recovered charge t v j = 25c 2,3 as t v j = 125c 6,0 as thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand netz-diode / rectifier diode, q = 120rect r thjc max. 1,45 c/w thermal resistance, junction to case transistor / transistor, dc max. 0,38 c/w schnelle diode / fast diode, dc max. 1,00 c/w bergangs-w?rmewiderstand netz-diode / rectifier diode r thc k max. 0,25 c/w thermal resistance, case to heatsink transistor / transistor max. 0,24 c/w schnelle diode / fast diode max. 0,30 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t v j ma x 150 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+150 c operating temperature lagertemperatur t st g - 40...+150 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 innere isolation al 2 o 3 internal insulation anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 4 nm mounting torque gewicht g typ. 185 g weight kriechstrecke 12,5 mm creepage distance khlk?rper / heatsinks : mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no cha racteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. sdb-ma2; r. j?rke 22. jan 99 seite/page 2(3) www.datasheet www.datasheet www.datasheet www.datasheet 4u 4u4u 4u .com .com .com .com
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igb t diode module with chopper-igbt dd b6u 84 n 12...16 rr sdb-ma2; r. j?rke 22. jan 99 seite/page 3(3) www.datasheet www.datasheet www.datasheet www.datasheet 4u 4u4u 4u .com .com .com .com
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