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Symbol MULTILED(R) 2.5 mm x 5 mm, Partly Diffused
LU B371
Besondere Merkmale
q q q q q q q q
Features
q q q q q q q q
colorless, partly diffused package 2.54 mm lead spacing high signal efficiency possible by color change of the LED indication of different operation modes is possible by color change of the LED from red to green both colors can be controlled separately solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ Type
Emissionsfarbe Color of Emission
Gehausefarbe Color of Package
Lichtstarke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 1.0 ... 1.6 ... 8.0 12.5
Bestellnummer Ordering Code
LU B371-FJ LU B371-GK
super-red / green colorless clear super-red / green partly diffused
Q62703-Q2048 Q62703-Q2049
Streuung der Lichtstarke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.0.1) Streuung der Lichtstarke in einer LED IV max / IV min 4.0 (LU B371 - FJ), 2.0 (LU B371 - GK).
1)
Bei MULTILED(R) bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehause die Helligkeitsgruppe der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min 4.0 (LU B371 - FJ), 2.0 (LU B371 - GK).
1)
In case of MULTILED(R), the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06721
nicht eingefarbtes, teilweise diffuses Gehause Lotspiee im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED moglich Anzeige unterschiedlicher Betriebszustande durch Farbwechsel von rot auf grun moglich beide Farben getrennt ansteuerbar Lotspiee mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Storimpulsfest nach DIN 40839
LU B371
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Verlustleistung Power dissipation TA 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air
1) 1)
Symbol Symbol
Werte Values - 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 40 1) 0.5 1)
Einheit Unit C C C mA A
Top Tstg Tj IF IFM
Ptot
140 1)
mW
Rth JA
400
K/W
Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebenen Grenzen nicht uberschreiten. With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed the specified limits.
Semiconductor Group
2
LU B371
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaspannung Forward voltage IF = 10 mA Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 s, RL = 50 Symbol Symbol (typ.) peak (typ.) (typ.) dom (typ.) (typ.) (typ.) 2 (typ.) VF (max.) VF (typ.) C0 635 Werte Values super-red green 565 nm Einheit Unit
628
570
nm
45
25
nm
100 2.0 2.6 12
100 2.0 2.6 15
Grad deg. V V pF
(typ.) tr (typ.) tf
300 150
450 200
ns ns
Semiconductor Group
3
LU B371
Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 20 mA Relative spectral emission V () = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f () Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LU B371
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
Relative Lichtstarke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 C
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LU B371
Wellenlange der Strahlung peak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA
Dominantwellenlange dom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA
Durchlaspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA
Relative Lichtstarke IV/IV(25 C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LU B371
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Mittlerer Lotspie Cathode mark: Middle solder lead
Semiconductor Group
7
GEX06721

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