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GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 484 SFH 485
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.5
9.0 8.2 7.8 7.5
Cathode 5.9 5.5
o5.1 o4.8
Chip position
GEX06271
Approx. weight 0.5 g
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.5
9.0 8.2 7.8 7.5
Cathode 5.9 5.5
o5.1 o4.8
1.5 29 27
4.8 4.2 Chip position
0.6 0.4
Approx. weight 0.5 g
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlassigkeit q Gute spektrale Anpassung an
Features
q q q q q
Si-Fotoempfanger
q SFH 484: Gehausegleich mit LD 274 q SFH 485: Gehausegleich mit SFH 300,
Fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability Spectral match with silicon photodetectors SFH 484: Same package as LD 274 SFH 485: Same package as SFH 300, SFH 203
SFH 203 Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern q Geratefernsteuerungen fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb
tape recorders, dimmers
q Remote control for steady and varying
intensity
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06305
GEX06305
fex06271
1.8 1.2 29 27
5.7 5.1
0.6 0.4
SFH 484 SFH 485
Typ Type SFH 484 SFH 484-1 SFH 484-2 SFH 485 SFH 485-2
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1092 Q62703-Q1755 Q62703-Q1756 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547
Gehause Package 5-mm-LED-Gehause (T 1 3/4), klares violettes EpoxyGieharz, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Anodenkennzeichung: kurzerer Anschlu 5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), anode marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand, freie Beinchenlange max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 100 5 100 2.5 200 375 Einheit Unit C C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 484 SFH 485
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel Spectral bandwidth at 50 % of Irel IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half angle SFH 484 SFH 485 Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 484 SFH 485 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol peak Wert Value 880 Einheit Unit nm
80
nm

8 20 0.16 0.4 x 0.4
Grad deg. mm2 mm
A LxB LxW
H H tr, tf
5.1 ... 5.7 4.2 ... 4.8 0.6/0.5
mm mm s
Co
25
pF
VF VF IR
1.50 ( 1.8) 3.00 ( 3.8) 0.01 ( 1)
V V A
e
25
mW
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 484 SFH 485
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value - 0.5 Einheit Unit %/K
TCI
TCV TC
-2 0.25
mV/K nm/K
Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. = 0.01 sr bei SFH 485 Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.001 sr at SFH 484 or = 0.01 sr at SFH 485 Bezeichnung Description Symbol SFH 484 Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Ie min Ie max 50 160 SFH 484-1 50 100 Wert Value SFH 484-2 > 80 - SFH 485 16 80 SFH 485-2 > 25 - mW/sr mW/sr Einheit Unit
Ie typ.
800
700
900
300
340
mW/sr
Radiation characteristics, SFH 484 Irel = f ()
40 30 20
10
0 1.0
OHR01891
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 484 SFH 485
Relative spectral emission Irel = f ()
100 rel % 80
OHR00877
Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 s Radiant intensity
10 2 e e (100mA) 10 1
OHR00878
Max. permissible forward current IF = f (TA)
125
OHR00880
F mA
100
60
10 0
75
40
10 -1
50
20
10 -2
25
0 750
10 -3
800
850
900
950 nm 1000
10 0
10 1
10 2
10 3 mA 10 4 F
0
0
20
40
60
80 C 100 T
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s
10 1
OHR00881
Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 C, duty cycle D = parameter
10 4 mA
OHR00886
Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 C
120 mA
OHR00949
F
A
F
10 0
10 3 0.1 0.2
D = 0.005 0.01 0.02 0.05
F 100
80
10 -1
0.5 10 2 DC
60
40
10
-2
D=
10 -3
tp T
tp
F
20
0
1
2
3
4
5
6
V VF
8
T 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0
0
10 1 s 10 2 tp
0
5
10
15
20
25 mm 30
Radiation characteristics, SFH 485 Irel = f ()
40 30 20 10 0 1.0
OHR01892
50
0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-01

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