| PART |
Description |
Maker |
| SFH4850E7800 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
|
OSRAM GmbH
|
| Q65111A0128 SFH4250S |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| Q65110A2464 Q65110A2975 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4289 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Geh漉se mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，盖赫锓林斯本身麻省理工学院在SMT封装的GaAIAs红外发射器与镜头
|
Electronic Theatre Controls, Inc.
ETC
OSRAM GmbH
|
| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
|
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
|
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
|
Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| Q62703Q6175 Q62703Q1094 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4239 Q65110A9549 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| TRML-8100BG TRML-8100G |
3.3V / 850 nm / 4.25 Gbps SFF LCMULTI-MODE TRANSCEIVER
3.3V / 850 nm / 4.25 Gbps SFF LC MULTI-MODE TRANSCEIVER
|
Optoway Technology Inc.
|
