| PART |
Description |
Maker |
| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH40912 Q62702P1002 Q62702P0860 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| Q62702P5302 Q62702P5303 SFH4881 |
IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Geh?use
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OSRAM GmbH
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| SFH4233 Q65110A8901 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4203 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter
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OSRAM GmbH
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| LH-FSLH-S090C-0406A FSLH-S090C |
850 MHz - 950 MHz RF/MICROWAVE SPLITTER AND COMBINER, 1 dB INSERTION LOSS
2012 Size 850/950 MHz Chip Multilayer Splitter/Combiner
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HITACHI METALS LTD
HIROSE[Hirose Electric]
Hirose Electric USA, INC.
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| SFH4239 Q65110A9549 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2741 SFH722112 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
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OSRAM GmbH
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| SFH4500 SFH4505 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
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OSRAM GmbH
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| SFH4202 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
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OSRAM GmbH
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| V23818-H308-L57 |
Small Form Factor Multimode 850 nm 622 Mbit/s OC-12 Transceiver with LCConnector 纤巧多模850纳米622兆比秒的OC - 12收发器连接器会⑩
Small Form Factor Multimode 850 nm 622 Mbit/s OC-12 Transceiver with LC⑩ Connector
Small Form Factor Multimode 850 nm 622 Mbit/s OC-12 Transceiver with LC Connector
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Infineon Technologies AG
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