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STB11NK40ZT4 - TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直| 9A条（丁）|63AB

STB11NK40ZT4_4485920.PDF Datasheet


Part No.	STB11NK40ZT4
Description	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 400V五（巴西）直\| 9A条（丁）\|63AB
File Size	200.19K / 12 Page
Maker	STMicroelectronics N.V.
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PART	Description	Maker
FCB20N60F12	600V N-Channe MOSFET 600V, 20A, 190mΩ	Fairchild Semiconductor
IXTP15N30MB IXTP15N30MA IXTH12N45MA IXTH15N35MB IX	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-220(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 550V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 42A I(D) \| TO-247(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 650V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 42A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 10A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 11A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 17A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 650V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| Z-PAC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-220(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220(5) TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 67A I(D) \| Z-PAC 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\| 67A条（丁）\|的Z -委员 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| Z-PAC 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 500V五（巴西）直\| 24A条（丁）\|的Z -委员 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| Z-PAC 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 600V的五（巴西）直\| 20A条（丁）\|的Z -委员	Ricoh Co., Ltd.
IXTL15N20 IXTL8P40 IXTL5N65 IXTL5P40 IXTL6N60 IXTM	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-254 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-254 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-254 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-254 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-204AC TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-247 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-254 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-218VAR TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 600V的五（巴西）直\| 6A条（丁）\| TO - 220AB现有 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254 晶体管\| MOSFET的\| P通道\| 200伏五（巴西）直\| 10A条（丁）\|254 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 650V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-254 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\|650V五（巴西）直\| 5A条（丁）\|54 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-3 晶体管\| MOSFET的\| P通道\| 150伏五（巴西）直\| 7A条（丁）\| TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-210AC 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 500V五（巴西）直\|3A条（丁）\|10AC TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220 晶体管\| MOSFET的\| P通道\| 500V五（巴西）直\| 5A条（丁）\|220	MITSUMI ELECTRIC CO., LTD. Infineon Technologies AG HIROSE ELECTRIC Co., Ltd.
FX6ASH3 FX6ASH2 FX6UMH3 FX6VSH3 FX6SMH3 FX6KMH2 FX	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-252AA TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-252AA TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-220AB TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-263AB TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-247VAR TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-263AB TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-220AB TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-247VAR TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186 TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252AA 晶体管\| MOSFET的\| P通道\| 100V的五（巴西）直\| 20A条（丁）\|52AA TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET的\| P通道\| 150伏五（巴西）直\| 3A条（丁）\| TO - 220AB现有	Cooper Bussmann, Inc.
NIMD6302R2	HDPlus Dual N-Channel Self-Protected Field Effect Transistor with 1:200 Current Sense FET HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET	ONSEMI[ON Semiconductor]
IRFP243R IRFF122R IRFF123R IRF621R IRFP140R IRFF12	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-205AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-205AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220AB TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-205AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-205AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 80V的五（巴西）直\| 8A条（丁）\|05AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 4.9A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\| 4.9AI（四）\| TO - 220AB现有 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 1A I(D) \| TO-250VAR 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\| 1A条（丁）\|50VAR TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-204AE 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 80V的五（巴西）直\| 28A条（丁）\|04AE TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 600MA I(D) \| TO-250VAR 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 150伏五（巴西）直\| 600毫安（丁）\|50VAR TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-204AE 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\|5A条（丁）\|04AE	Black Box, Corp. Bourns, Inc. Vishay Intertechnology, Inc. Samsung Semiconductor Co., Ltd. 3M Company
IRF637 IRFP256 IRFP257 IRFP242R IRF230R IRFP240R I	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 275V V(BR)DSS \| 6.5A I(D) \| TO-220AB TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 275V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-247 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 275V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| TO-247 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-204AA TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-250VAR TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-205AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-204AA TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| TO-250VAR 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 200伏五（巴西）直\| 18A条（丁）\| TO - 220AB现有 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-204AA 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 200伏五（巴西）直\| 8A条（丁）\|04AA TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 200伏五（巴西）直\| 8A条（丁）\| TO - 220AB现有 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 200伏五（巴西）直\| 5A条（丁）\| TO - 220AB现有 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 33A I(D) \| TO-247 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 200伏五（巴西）直\|3A条（丁）\|47 TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 275V V(BR)DSS \| 22A I(D) \| TO-204AA 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 275V五（巴西）直\| 22A条（丁）\|04AA	ECM Electronics, Ltd. Fairchild Semiconductor, Corp.
STM322 STM420 STM423 STM323 STM421 STM353 STM430 S	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 2.8A I(D) \| TO-204AA USB Port Lithium-Ion/Polymer Battery Charger 2A Lithium-Ion/Polymer Battery Charger TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-204AA TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-204AA TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.3A I(D) \| TO-204AA NanoPower Voltage Detectors TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-204AA 1A Linear Li-Ion Battery Charger in 2.2x2.2mm STDFN TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-3 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 400V五（巴西）直\| 11A条（丁）\| TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 2.8A I(D) \| TO-204AA 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 350V五（巴西）直\| 2.8AI（四）\|04AA	Atmel, Corp.
OM6407SD OM6406SD OM6408SD OM6405SD	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| FP TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| FP TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| FP 晶体管\| MOSFET的\|阵\| N沟道\| 400V五（巴西）直\| 5.5AI（四）\|计划生育 TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| FP 晶体管\| MOSFET的\|阵\| N沟道\| 100V的五（巴西）直\| 8A条（丁）\|计划生育	Mitsubishi Electric, Corp.
FDP7030BLSS62Z FDB7030BLS	56 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB TO-220, 3 PIN TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 56A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 30V的五（巴西）直\|6A条（丁）\|63AB TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 56A I(D) \| TO-220AB	Fairchild Semiconductor, Corp. ITT, Corp. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
HCF4000 HCF4000B HCF4001 HCF4001B HCF4002 HCF4002B	NOR GATE (289.19 k) TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,6A I(D),TO-3 RoHS Compliant: Yes T-PNP-SI-AF PO- .75W T-NPN- SI-PO & SW-PD 40 W 或非 MOSFET-PWR N-CH HI SPEED 或非 MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:10.5A; On-Resistance, Rds(on):0.3ohm; Package/Case:3-TO-220; Continuous Drain Current - 100 Deg C:7.5A; Continuous Drain Current - 25 Deg C:10.5A 或非 MOSFET-PWR 800V 4A 或非 NOR GATE 或非 MOSFET-PWR 500V 8A	ST Microelectronics SGS Thomson Microelectronics STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] 意法半导 STMicroelectronics N.V.
IRHN250 IRHN450	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 18.5A I(D) \| SMT TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SMT 晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 500V五（巴西）直\| 8A条（丁）\|贴片	Black Box, Corp.

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