| PART |
Description |
Maker |
| HGT1S3N60B3S HGT1S3N60B3S9A |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3.5A I(C) | TO-263AB
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 7A 3TO-263AB RAIL
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Fairchild Semiconductor
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| GT8Q102SM |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 8A条一（c）|52VAR
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Panasonic Industrial Solutions
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| IXGH40N30BD1S |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD 晶体管| IGBT的|正陈| 300V五（巴西）国际消费电子展|0A条（c）的|47SMD
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IXYS, Corp.
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| CT15AM24E |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247VAR 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展|5A一（c）|47VAR
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Chicago Miniature Lighting, LLC
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| IXSK40N60BD1 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 75A条一（c）|64AA
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IXYS, Corp.
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| IXGP15N120B |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-220AB 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 30A条一（c）| TO - 220AB现有
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Maxim Integrated Products
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| IXGA15N120C |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 30A条一（c）|63AA
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IXYS, Corp.
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| IXGH20N60U1 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 40A条一（c）|采用TO - 247AD
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IXYS, Corp.
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| IXSH35N100 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD 晶体管| IGBT的|正陈| 1KV交五（巴西）国际消费电子展| 35A条一（c）|采用TO - 247AD
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PerkinElmer, Inc.
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| IRG4BC30S-S IRG4BC30SS IRG4BC30S-STRL IRG4BC30S-ST |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 18A条一（c）|63AB
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A) 绝缘栅双极晶体管IGBT的标准速度（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典\u003d.4V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 18A条）
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V Vce(on)typ.=1.4V @Vge=15V Ic=18A)
600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a D2-Pak package
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International Rectifier, Corp.
IRF[International Rectifier]
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