| PART |
Description |
Maker |
| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH7221 SFH7221-Z |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor
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OSA Opto Light GmbH
OSRAM GmbH
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| SFH460 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2741 SFH722112 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
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OSRAM GmbH
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| 125244 |
GaAlAs / GaAlAs LED Chips (substrate removed)
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OSA Opto Light GmbH
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| 128244 |
GaAlAs / GaAlAs Chips (substrate removed)
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OSA Opto Light GmbH
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| 115161L |
GaAlAs / GaAlAs Chips (substrate removed)
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OSA Opto Light GmbH
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| SFH40912 Q62702P1002 Q62702P0860 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH405 SFH40512 Q62702P0835 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| Q62703Q0517 |
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2464 Q65110A2975 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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